Нижегородские ученые займутся синтезом высокочистого компонента для отечественной микроэлектроники. Об этом рассказал заведующий лабораторией технологии высокочистых материалов НИИ химии ННГУ Леонид Мочалов в рамках научного завтрака. Коллектив НИИ химии ННГУ им. Н.И.Лобачевского вошёл в число победителей конкурса на получение грантов Российского научного фонда для проведения прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ, направленных на развитие производства полупроводниковых лазеров, микродисплеев и фотоприемных матриц.
Нижегородские ученые займутся созданием технологии и синтезом высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs), необходимого для выращивания монокристаллов GaAs — ключевого материала для СВЧ-электроники и лазерных устройств.
Отмечается, что на сегодняшний день подобных технологий получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия в России нет.
Работы в рамках гранта будут проводиться в лаборатории технологии высокочистых материалов. Финансирование проекта на три года составит 95 млн рублей.
Кроме того, как отметил Леонид Мочалов, одним из важных проектов НИИ является разработка технологии синтеза высокочистого поликристаллического антимонида индия — базового элемента фотоприемных устройств, который, в частности, используется в приборах ночного видения.
Ранее на сайте pravda-nn.ru сообщалось, что нижегородские физики создали новый тип кубитов на основе искусственных атомов для квантовых устройств. Такие технологии могут применяться для создания квантового компьютера и развития полупроводниковой платформы квантовых вычислений. Сейчас это одно из приоритетных направлений в российской наноэлектронике.
Свежие комментарии