Новый материал для усовершенствования кремниевых микросхем получили ученые ННГУ им. Лобачевского. Он представляет из себя пленку с кремнием в гексагональной фазе. С его помощью можно будет улучшить энергоэффективность транзисторов и добиться увеличения тока при меньшем напряжении, сообщили в пресс-службе вуза.
Материал выращивается на подложке из обычного кремния и стабилизируется верхним слоем германия. Между ними формируется однородный и сплошной слой кремния в гексагональной фазе. Такая плёнка может быть использована на больших участках микросхем с большим количеством контактов.«Кремний в гексагональной фазе имеет особую кристаллическую структуру. В определённых направлениях повышается проводимость материала, так что электрический ток будет выше. Обычно такие слои неустойчивы и легко превращаются в “обычный” кремний. Нам удалось стабилизировать гексагональную фазу. Это открывает новые перспективы для использования гексагонального кремния в промышленности», – рассказал доцент кафедры квантовых и нейроморфных технологий физического факультета Университета Лобачевского Антон Конаков.
Разработка нижегородских ученых уникальная для российской и мировой практики. Она позволит улучшить характеристики базовых элементов микросхем и производительность процессоров. При этом саму разработку планируется адаптировать для внедрения в российскую кремниевую микроэлектронику.
Помимо самой технологии создания гексагональной фазы кремния исследователи смогли разработать ряд оригинальных систем для роста тонких плёнок кремния и германия и запатентовать их.
Такие системы можно будет использовать в микроэлектронике.Ранее на сайте pravda-nn.ru сообщалось, что нижегородские ученые создали новые материалы для 3D-биопечати тканей.
Свежие комментарии